核心产品 - 里阳半导体

公司的技术与产品涵盖：保护器件（Protection Device）、可控硅(Thyristor)、整流二极管(Rectifier)。

在多个技术领域保持了国内领先的地位，如多层叠片技术、高结温低漏流技术、多层钝化工艺、超强抗干扰可控硅技术等。
同时利用公司多名核心技术人员在设计、制造领域的积累，为客户提供针对性的芯片产品设计和系统性的应用解决方案。

瞬态电压抑制二极管 (TVS)

瞬态抑制二极管也称硅雪崩二极管，拥有比普通二极管更大PN结面积和更大的同流能力，广泛应用于电子元件瞬变电压防护。

截止电压: 3.3V~600V; 峰值功率: 200~30KW 电流: 最大达30KA(8/20uS）高结温:最高可达
可控硅 (Thyristors)

可控硅是常开式固态开关，能够承受额定闭塞/断态电压直至受触发而切换为导通状态，可作为开关或功率调节应用。

低漏电流：独特的保护层设计，IDRM<1uA@VDRM 高结温：超高静动态能力，150ºC 高结温环境抗干扰能力强：无缓冲设计, dv/dt > 1000V
静电二极管阵列 (ESD)

瞬态抑制二极管阵列设计用于保护数字和模拟信号线免受静电放电(ESD)，电快速瞬变(EFT)，以及雷击引起的浪涌电流的破坏。

结电容：最小可达0.3pF 尺寸：最小可达0.6*0.3mm 封装：多样化，集成度高功率：70~1800W（8/20uS）
半导体放电管 (TSS)

半导体放电管是基于可控硅工艺的半导体开关管，相对TVS管有更高的浪涌防护和更低的残压，用于各种通讯端口。

截止电压：6V~600V 浪涌等级：2/4/6 KV 结电容值：15pF～150pF 封装：SMA、SMB、SOP8

陶瓷气体放电管(GDT)

陶瓷气体放电管属于开关型过压保护器，工作原理基于惰性气体间隙放电，能够承受极高的瞬态浪涌。

电压: 75V~6KV 浪涌能力: 100KA (8/20μs) 尺寸: 2极&3极，多尺寸电容值：0.5～25 pF 封装：轴心引线式、贴片式
玻璃气体放电管(SPG)

玻璃气体放电管兼具陶瓷气体放电管和半导体放电管的优点，具有浪涌能力高、体积小、反应速度快的特点。

电压范围：140~ 4000V 浪涌电流：3KA(8/20uS）尺寸大小：φ1.4mm~φ4.1mm 可靠性高：耐高温、耐潮湿